平面拋光機運動方式和運動軌跡的基本要求
發(fā)布者： 常州玉利光電 / 2021-05-07/ 瀏覽量：240
平面拋光機運動方式和運動軌跡的基本要求：
1.硅晶片平面相對于拋光盤的運動方向應不斷變化，保證平面拋光機拋光磨粒不斷在新的方向上起切削作用，避免在加工平面上產生重復軌跡，以獲得高的拋光表面質量?！ ?.拋光運動必須使硅平面上的每一點相對于拋光盤的滑動路程相等(即拋光行程的同一性)，使加工面上各點的去除量相同，保證硅晶片的平面度和兩面間的平行度. 3.拋光運動軌跡應盡可能使拋光墊上各點的磨損量相同，保證拋光墊幾何形狀精度保持長時間不變。